AlGaN紫外探测器p电极的Ni/Au/Ni/Au欧姆接触结构研究

• 作者: 张振 张燕 李向阳 祁昌亚 童慧 胡正飞
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 欧姆接触 退火 扩散 微结构
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 22-28
• 页数: 7页
• 分类号: TN23|TN304.2
• 字数: 4045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2016.02.004

摘要

研究了AlGaN半导体p电极的Ni/Au/Ni/Au接触结构的性能和组织结构.退火前,p电极接触具有明显的整流特性.经空气中550℃/3 min一次退火和N2气氛中750℃/30 s二次退火后,电极呈现出了良好的欧姆接触.采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、透射电镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、能量分散谱仪(Energy Dispersive Spectrometer,EDS)和X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)观察了电极退火后金-半界面微结构的演化过程.结果表明,完全退火后的p电极界面及金属层出现了明显的互扩散和界面反应现象;金-半界面上形成了存在良好共格/半共格关系的外延结构.初始沉积的金属电极分层现象消失,形成了单一的电极结构.Ni向外扩散并与O发生反应,Au扩散至p-GaN表面.在金-半接触界面上,Ga扩散至金属电极,造成界面附近的金属层中富集Au和Ga元素;Au和Ni明显扩散至半导体表层,在金-半界面附近形成了Au、Ga和Ni富集现象.这些现象应该对于降低势垒高度和形成欧姆接触具有重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡正飞	同济大学材料科学与工程学院	55	327	11.0	15.0
2	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	110	438	10.0	14.0
3	张燕	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	84	800	13.0	26.0
4	张振	同济大学材料科学与工程学院	48	270	9.0	15.0
5	童慧	同济大学材料科学与工程学院	4	2	1.0	1.0
6	祁昌亚	同济大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0