利用椭偏仪研究氢气退火处理对ZnO-Ga薄膜光学性能的影响

• 作者: 杨娇 高美珍
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GZO薄膜 氢处理 椭圆偏振光谱仪 双振子模型
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.01.002

摘要

通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的ZnO透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢气退火处理之后,薄膜的电学性能均得到提高,当Ga掺杂含量为5 at％时,得到薄膜的电阻率为3.410×10-3 Ω·cm.利用可变入射角椭圆偏振光谱仪(VASE)在270～1 600 nm波长范围内研究了GZO薄膜折射率和消光系数的变化,采用双振子模型对实验数据进行拟合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高美珍	兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室	11	68	6.0	8.0
2	杨娇	兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室	2	7	1.0	2.0