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摘要:
基于 MEMS 器件的特殊结构,介绍了硅基电容式传感器 MEMS 器件刻蚀工艺的实现,工艺包含厚膜光刻、双面对准套刻和深沟槽刻蚀等难点。通过调整掩蔽层光刻胶的厚度,保持较高线宽分辨率的同时实现了硅片深沟槽的刻蚀加工;采用俄罗斯5026A 型双面光刻机实现了硅片的对准套刻,成功实现了电容式传感器器件结构的刻蚀工艺,为用户提供了满意的产品,证明了该刻蚀工艺的可行性和实用性。
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 MEMS 器件刻蚀工艺优化
来源期刊 微处理机 学科 工学
关键词 MEMS 器件 光刻胶 厚膜光刻 双面光刻 对准套刻 深沟槽刻蚀
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 大规模集成电路设计、制造与应用
研究方向 页码范围 8-10
页数 3页 分类号 TP305
字数 995字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2279.2016.02.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙德玉 中国电子科技集团公司第四十七研究所 2 3 1.0 1.0
2 马洪江 中国电子科技集团公司第四十七研究所 5 9 3.0 3.0
传播情况
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引文网络
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2020(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
MEMS 器件
光刻胶
厚膜光刻
双面光刻
对准套刻
深沟槽刻蚀
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微处理机
双月刊
1002-2279
21-1216/TP
大16开
沈阳市皇姑区陵园街20号
1979
chi
出版文献量(篇)
3415
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7
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