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温度对三阱结构SRAM多位翻转的影响
温度对三阱结构SRAM多位翻转的影响
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摘要：
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65 nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
多位翻转
静态随机存储器
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双极效应
重离子
65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究
多位翻转
静态随机存储器
双阱
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重离子
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温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响
重离子
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静态随机存储器
离子径迹结构对SRAM单粒子翻转截面的影响
单粒子翻转
离子径迹
电荷收集
扩散
电荷共享
内容分析
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文献信息
| 篇名 | 温度对三阱结构SRAM多位翻转的影响 | ||
| 来源期刊 | 中国原子能科学研究院年报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2016,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 85-86 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TP333 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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中国原子能科学研究院年报
主办单位：
中国原子能科学研究院
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
大16开
出版地：
北京275信箱65分箱
邮发代号：
创刊时间：
1978
语种：
chi
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6253
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