磁控溅射偏压对Cr薄膜密度以及表面形貌的影响

• 作者: 伊福廷 孙钢杰 张天冲 王焕华 贾全杰
• 来源期刊: 电镀与精饰
• 学科: 工学
• 关键词: X-射线反射率分析 铬薄膜 密度 表面形貌 磁控溅射 偏压
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1-3,8
• 页数: 4页
• 分类号: O434.19|TB31
• 字数: 1658字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3849.2016.07.001

摘要

利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品.用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化.发现当偏压小于300V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300V时薄膜密度最大;当偏压大于300V时,薄膜密度减小.另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	伊福廷	中国科学院高能物理研究所多学科中心	38	150	6.0	10.0
2	贾全杰	中国科学院高能物理研究所多学科中心	18	57	3.0	7.0
3	王焕华	中国科学院高能物理研究所多学科中心	7	28	3.0	5.0
4	孙钢杰	中国科学院高能物理研究所多学科中心	1	2	1.0	1.0
5	张天冲	中国科学院高能物理研究所多学科中心	2	2	1.0	1.0