4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究

• 作者: 刘新宇 张静 李俊峰 李俊杰 杨霏 王嘉铭 裴紫微 许恒宇 赵妙 金智 钮应喜
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 肖特基势垒二极管 结终端技术 耐压性能
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 550-553
• 页数: 4页
• 分类号: TN30
• 字数: 2306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2016.06.003

摘要

碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology，JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes，SBD)的耐压性能，而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键技术。研究通过使用SF6/O2/Ar、BCl3/Cl2/Ar、CF4/O2/Ar等不同刻蚀气体体系对SiC材料进行刻蚀，经过一系列的技术优化，最终开发出硬掩蔽倾斜结合CF4/O2/Ar气体干法刻蚀SiC的结终端技术。该技术在改善SiC肖特基势垒二极管击穿电压方面有着积极的作用。