退火温度对GaN：Mn薄膜微结构、电学及磁学性能的影响

• 作者: 娄永乐 徐大庆 李培咸 李妤晨
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 锰掺杂氮化镓 微结构 铁磁性 磁交换相互作用
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 页码范围: 981-986
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2016.07.11

摘要

通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN：Mn薄膜，研究了退火温度对其微结构、电学和磁学性能的影响。结果表明：所有样品均呈现为单晶纤锌矿结构；离子注入产生的相关缺陷在GaN：Mn薄膜中引起了新的声子模，分析认为Mn替代Ga位后所产生的相关局域振动紧邻GaN的E2high峰；测量显示材料具有室温铁磁特性，并且磁化强度和电学特性随着退火温度而变化。实验分析结合模拟计算表明，微结构随退火温度的变化引起相应的Ga空位和N空位浓度的变化，使得主导材料磁性能的交换相互作用发生转换，从而使材料磁化强度随着退火温度而变化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李培咸	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	36	324	10.0	17.0
2	李妤晨	西安科技大学电气与控制工程学院	4	2	1.0	1.0
3	娄永乐	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	5	2	1.0	1.0
4	徐大庆	西安科技大学电气与控制工程学院	5	5	1.0	2.0