直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响

• 作者: 姚婷婷 张宽翔 彭寿 徐根保 曹欣 李刚 杨勇 王芸 蒋继文 金克武
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 氧化铟锡薄膜 衬底温度 溅射功率
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 页码范围: 987-994
• 页数: 8页
• 分类号: TB34
• 字数: 5554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2016.07.12

摘要

采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明：与室温生长并经410℃热退火后的薄膜相比，410℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜；随着衬底温度的增加，电阻率单调减小，光学吸收边出现蓝移；在溅射功率为85 W时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580℃、溅射功率为85 W的工艺条件下，可制备出电阻率为1.4×10–4?·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO薄膜。