环境湿度对VGF法半绝缘砷化镓单晶备料生长的影响研究

• 作者: 孙文杰
• 来源期刊: 天津科技
• 学科: 社会科学
• 关键词: 湿度 VGF 半绝缘
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 56-57,61
• 页数: 3页
• 分类号: G312
• 字数: 1109字
• 语种: 中文

摘要

利用垂直梯度冷凝法生长半绝缘砷化镓单晶的环境是一个密闭的真空系统,但是在备料过程中不可避免要受到周围环境的影响.通过除湿设备对环境除湿,分别在湿度为40%,±5%,和60%,±5%,时,使用等质量的多晶料、掺杂剂等材料进行备料实验研究.结果表明,环境湿度较大时备料,VGF生长出的半绝缘砷化镓单晶表面有凹坑甚至沟道,影响单晶直径,而备料系统中适当的含水量有助于生长过程的掺杂,当环境湿度较大时备料反而会降低砷化镓晶体生长时掺杂C的浓度,进而降低其半绝缘性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙文杰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0