钇掺杂量和膜厚对HfO2纳米薄膜相结构的影响

• 作者: 周大雨 徐进 杨喜锐 梁海龙 王雪霞 闫泳
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: HfO2薄膜 相变 钇含量 膜厚 溶胶-凝胶
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 10154-10158
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 4416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.10.026

摘要

二氧化铪(HfO2)是广泛应用于微电子器件制备的电介质绝缘材料,其高介电系数四方相或立方相的稳定受掺杂元素含量和薄膜厚度的共同影响.采用纯水基溶胶-凝胶法在低阻硅基底上制备不同厚度的钇掺杂HfO2薄膜,通过对薄膜晶相结构的X射线衍射分析,明确了四方/立方相在室温下稳定的临界钇掺杂量和临界膜厚条件,并对薄膜介电系数随晶相结构的演变以及漏电流进行了测试分析,研究结果对于HfO2材料的微纳电容器件应用具有重要参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周大雨	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	11	18	3.0	4.0
2	徐进	大连东软信息学院电子工程系	4	5	1.0	2.0
3	杨喜锐	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	王雪霞	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	闫泳	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0