二氧化铈抛光液化学机械抛光微晶玻璃的机理及优化

• 作者: 储向峰 王金普 白林山
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化铈 微晶玻璃 化学机械抛光 材料去除速率
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 1-5,10
• 页数: 6页
• 分类号: TG58
• 字数: 4586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2017.2.0001

摘要

以纳米CeO2为磨料自制抛光液,研究磨料质量分数、pH值、抛光液流量、抛光盘转速、表面活性剂种类和氟化铵质量分数等因素对微晶玻璃化学机械抛光的影响,分析总结CeO2在微晶玻璃化学机械抛光中的作用机理,利用原子力显微镜(AFM)检测微晶玻璃抛光后的表面粗糙度.结果表明:当CeO2质量分数为3％、抛光液流量为25 mL/min、抛光盘转速为100 r/min、pH=8.0、十二烷基硫酸钠质量分数为0.01％,氟化铵质量分数为0.7％时,抛光后微晶玻璃表面粗糙度(Ra)最低为0.72 nm,材料去除速率达到180.91 nm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储向峰	安徽工业大学化学与化工学院	59	209	6.0	11.0
2	白林山	安徽工业大学化学与化工学院	60	293	10.0	14.0
3	王金普	安徽工业大学化学与化工学院	5	21	4.0	4.0