n/p型掺杂非晶硅薄膜工艺优化研究

• 作者: 何玉平 黄海宾
• 来源期刊: 南昌工程学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂非晶硅 电阻 气压 电流 流量比
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2250字
• 语种: 中文

摘要

掺杂层与硅片衬底形成发射极和后背场,掺杂层薄膜质量是影响高效率太阳电池的重要因素之一.以载玻片为衬底沉积掺杂薄膜层后样品电阻为依据对太阳能电池n/p型掺杂非晶硅薄膜主要工艺进行优化.结果表明,n型掺杂非晶硅薄膜最优工艺为电流20.5 A,气压4.0 Pa,气体流量比H2:SiH4:PH3=50:2:4(sccm);p型掺杂层非晶硅薄膜最优工艺为电流23.5 A,气压5.5 Pa,气体流量比SiH4:H2:B2H6=2:50:4(sccm),沉积时间为30 min,温度为200℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何玉平	南昌工程学院理学院	25	55	4.0	6.0
3	黄海宾	南昌大学光伏研究院	15	40	4.0	6.0