SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究?

• 作者: 李斌 毛开礼 王英民 赵高扬
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 同质外延 氯化氢 快速外延 刻蚀工艺
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 1139-1143
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.024

摘要

10 kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC 外延生长工艺要求.4°4H-SiC 厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用 HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于4H-SiC外延层质量的影响.采用1620℃ HCl气体刻蚀衬底5 min,1600℃外延生长的工艺,可以有效降低三角缺陷数量,同时避免台阶聚并的形成.通过刻蚀工艺,以平均55．2μm/h 的外延速率生长了平均55．2μm厚的高质量4H-SiC外延层,三角缺陷数量＜1个/cm2,表面粗糙度0．167 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵高扬	西安理工大学材料科学与工程学院	72	349	10.0	14.0
2	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
3	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
4	毛开礼	西安理工大学材料科学与工程学院	10	34	3.0	5.0