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超宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶生长突破2英寸
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摘要：
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宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展
β-Ga2O3
晶体生长
LED
MOSFET
紫外光探测器
CuO、Ga2O3改性Cr2O3/γ-Al2O3催化剂丙烷脱氢反应性能研究
Cr系催化剂
脱氢
丙烷
丙烯
助剂
全钒液流电池石墨毡电极的Ga2O3修饰
全钒液流电池
石墨毡
表面
Ga2O3
催化
反应
超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展
Ga2O3
超宽带隙半导体
日盲探测器
深紫外透明电极
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期刊影响力
人工晶体学报
主办单位：
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期：
月刊
ISSN：
1000-985X
CN：
11-2637/O7
开本：
16开
出版地：
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱
邮发代号：
创刊时间：
1972
语种：
chi
出版文献量（篇）
7423
总下载数（次）
16
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