浸渍提拉法制备有机介质层铝铟锌氧薄膜晶体管

• 作者: 岳兰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 非晶氧化物半导体 浸渍提拉法 有机介质层 沟道层退火温度
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 86-90
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.01.018

摘要

利用溶液法的浸渍提拉工艺制备了以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层、非晶铝铟锌氧化物(a-AIZO)为沟道层的顶栅共面结构薄膜晶体管(TFT),研究了沟道层退火温度对TFT性能的影响机理.结果表明:较低退火温度(如300和350℃)下处理的沟道层中存在未彻底分解的金属氢氧化物,其以缺陷态形式存在于TFT沟道层内或沟道层/介质层界面处,对导电沟道中电子进行捕获或散射,劣化TFT的迁移率、电流开关比以及亚阈值摆幅.综合来看,退火温度高于400℃下制备的a-AIZO适用于TFT器件的沟道层,相应的器件呈现出较高的迁移率(大于20 cm2/(V·s))、较低的亚阈值摆幅(小于0.5V/decade)以及高于104的电流开关比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳兰	贵州民族大学材料科学与工程学院贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室	5	1	1.0	1.0