一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET

• 作者: 张波 彭富 杨超 欧阳东法 罗小蓉 邓思宇 魏杰
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 极化掺杂 击穿电压 开态电流 增强型
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 815-819
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180061

摘要

针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET.采用Al组分对称渐变的AlGaN势垒层,因极化梯度分别在正向渐变AlGaN层和逆向渐变AlGaN层中诱导产生了三维电子气(3DEG)和三维空穴气(3DHG).利用3DHG,阻断了源极与3DEG之间的纵向导通沟道,实现了新的增强型模式.同时,正向渐变AlGaN层的高浓度3DEG显著提升了器件输出电流.器件关断时,极化电荷形成的极化结有助于耗尽漂移区,优化了电场分布,提升了器件耐压.与传统AlGaN/GaN HFET相比,新器件的击穿电压从39 V提高至919 V,饱和漏电流提升了103.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子科学与工程学院	206	1313	17.0	26.0
2	罗小蓉	电子科技大学电子科学与工程学院	18	62	5.0	7.0
3	杨超	电子科技大学电子科学与工程学院	31	98	6.0	7.0
4	魏杰	电子科技大学电子科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
5	彭富	电子科技大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	欧阳东法	电子科技大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
7	邓思宇	电子科技大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0