SiC单晶片的激光标识技术研究

• 作者: 冯玢 王添依
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅单晶 激光加工 激光标识
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体装置工艺与设备
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN948.43
• 字数: 1236字
• 语种: 中文

摘要

研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化.确定了激光功率为50％,标刻速度为100 m m/s,频率为20 kH z,脉冲宽度为10μs的工艺参数,有效地改善了碳化硅晶片的标记效果,优化后的激光打标工艺更好地应用于SiC晶片生产加工中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玢	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	26	3.0	4.0
2	王添依	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	5	1.0	2.0