随机掺杂对超深亚微米SOI MOSFETs阈值电压影响研究

• 作者: 杨江江 苏亚丽
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: SOI MOSFETS 阈值电压 随机掺杂
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 页码范围: 472-479
• 页数: 8页
• 分类号: TN3

摘要

本文研究随机掺杂引起的超深亚微米SOI MOSFETs器件阈值电压波动,提出一种由沟道粒子数目波动引起的阈值电压波动标准差的解析模型,计入了沟道粒子数目和位置变化所带来的阈值电压波动影响。通过研究不同参数下器件阈值电压变化情况,所建立模型计算的预测结果与Sentaurus TCAD数值模拟结果吻合良好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏亚丽		6	0	0.0	0.0
2	杨江江		1	0	0.0	0.0