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摘要:
采用InGaP HBT工艺,结合达林顿放大器技术,制作了一种高线性度宽带射频放大器.与传统结构相比,该射频放大器具有高线性度、宽带宽的优点.在10 MHz~1 GHz的频率范围内,该放大器的输出1 dB压缩点达到21.8 dBm,输出3阶交调截止点达到40.6 dBm,两者差值为18.8 dBm.而传统射频放大器的输出3阶交调截止点仅比输出1 dB压缩点高出10 dBm.这表明,该放大器非常适合应用于大动态信号处理系统.
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文献信息
篇名 一种高线性度宽带射频放大器
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 达林顿晶体管 射频 高线性度 宽带 GaAs HBT
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 463-466,470
页数 5页 分类号 TN722
字数 语种 中文
DOI 10.13911/j.cnki.1004-3365.170466
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王国强 中国电子科技集团公司第二十四研究所 2 18 1.0 2.0
2 刘成鹏 中国电子科技集团公司第二十四研究所 2 1 1.0 1.0
3 王小峰 1 0 0.0 0.0
4 蒲颜 中国电子科技集团公司第二十四研究所 1 0 0.0 0.0
5 潘少俊 中国电子科技集团公司第二十四研究所 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
达林顿晶体管
射频
高线性度
宽带
GaAs HBT
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
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21140
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