一种基于电源纹波前馈的高PSR的LDO

• 作者: 张波 明鑫 王卓 甄少伟 魏秀凌 鲁信秋
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 前馈纹波抵消 PSR带宽 环路增益
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 615-619
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170503

摘要

功率管栅端寄生电容的存在使得LDO的电源抑制特性(PSR)在中高频段变差.在前馈纹波抵消技术的基础上,通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入具有低输出阻抗的电压跟随器,拓展了PSR带宽,实现了中高频段的高电源抑制特性.采用箝位电路,进一步提高了重载下的环路增益,保证负载范围内LDO在中高频段均具有较高的PSR.基于0.5 μm CMOS工艺进行设计与仿真.结果表明,LDO的最大静态电流为80 μA,功率管的压差电压为150 mV,负载电流范围为50 μA～25 mA.在25 mA负载电流下,LDO的PSR在100 kHz时为-63 dB,在10MHz时为-57.5 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	明鑫	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	207	7.0	12.0
3	甄少伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	122	6.0	9.0
4	王卓	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	47	4.0	5.0
5	魏秀凌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
6	鲁信秋	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0