单晶6H-SiC经氦离子辐照及退火后的微观组织研究

• 作者: 冉广 冯琦杰 叶超 周韦 李宁 李瑞祥 沈强
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC 离子辐照 氦气泡 退火 微观组织
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 378-382
• 页数: 5页
• 分类号: TL62+7
• 语种: 中文

摘要

在400℃下对单晶6H-SiC进行了400 keV氦离子辐照,辐照剂量为l×1016 He+/cm2,随后在1200和1500℃退火30 min.采用透射电子显微镜和扫描电子显微镜对辐照态和退火态SiC进行微观结构观察与分析.结果表明,单晶6H-SiC在400℃经氦离子辐照后,仅观察到由辐照引起的位移损伤带,而未观察到明显尺寸的氦气泡.但经1200℃退火30 min后,在辐照损伤区域形成了呈血小板状的气泡簇,其主要分布在(0001)晶面上,少量形成在(ll20)晶面.辐照未在6H-SiC表面上形成明显尺寸的缺陷,而经1200℃退火30 min后,SiC表面出现大尺寸的起泡和凹坑,进一步提高退火温度至1500℃时,表面起泡和形成凹坑更严重,并产生了大量裂纹.本研究同时对微观结构演化的机理进行了分析与讨论.