AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究

• 作者: 付润定 修向前 庄德津 张荣 谢自力 郑有炓 陈鹏
• 来源期刊: 陶瓷学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN单晶 化学机械抛光 AlGaN Stranski-Krastanow生长模式 应变梯度模型
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 690-695
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 3470字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2018.06.006

摘要

对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量.用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片.利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2％的AlGaN薄膜,其生长模式符合Stranski-Krastanow模式.利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鹏	南京大学电子科学与工程学院	57	921	13.0	30.0
2	郑有炓	南京大学电子科学与工程学院	78	353	11.0	15.0
3	张荣	南京大学电子科学与工程学院	134	576	13.0	17.0
4	修向前	南京大学电子科学与工程学院	28	97	5.0	9.0
5	谢自力	南京大学电子科学与工程学院	19	44	5.0	6.0
6	付润定	南京大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
7	庄德津		1	0	0.0	0.0