一种新型的常通型GaN HEMT器件

• 作者: 修强 徐宏庆 秦海鸿 董耀文
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 常通型 GaNHEMT器件 高频 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1101-1104
• 页数: 4页
• 分类号: TM46
• 字数: 1948字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.05.004

摘要

对新型常通型GaN HEMT器件的特性和参数进行了研究.阐述了其静态和动态特性以及电流崩塌问题.针对其动态特性,与相近定额的Si MOSFET器件(TK2Q60D)在开通、关断时间与栅源电压的关系方面进行了对比,探讨了常通型GaN HEMT器件在不同输入电压和不同开关频率下的电流崩塌现象,并采用升压(Boost)电路,对常通型GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的最高工作频率能力进行了对比.实验结果表明,常通型GaN HEMT器件具有更高的工作频率,且工作频率的升高不影响电流崩塌现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐宏庆	正德职业技术学院电子与信息技术系	27	23	2.0	4.0
2	秦海鸿	南京航空航天大学自动化学院	99	729	14.0	23.0
3	修强	南京航空航天大学自动化学院	6	1	1.0	1.0
4	董耀文	南京航空航天大学自动化学院	7	31	3.0	5.0