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4″半绝缘SiC单晶生长设备及生长工艺技术研究
4″半绝缘SiC单晶生长设备及生长工艺技术研究
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摘要：
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高质量半绝缘Φ150mm 4H-SiC单晶生长研究
Φ150 mm 4H-SiC
数值模拟
PVT法
高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展
半导体材料
高纯半绝缘
4H-SiC单晶
单晶生长
SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展
升华法
SiC
模拟
温场
金刚石线切割
化学机械抛光
生长气体流量对SiC单晶缺陷的影响
SiC
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期刊影响力
科技成果管理与研究
主办单位：
中国科技成果管理研究会
中国科学技术信息研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1673-6516
CN：
11-5433/N
开本：
出版地：
北京复兴路15号251室
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
6300
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8
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2148
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