40V低压P沟VDMOS产品的设计与工艺研究

• 作者: 丁文华 刘琦 单长玲 常婷婷 智晶
• 来源期刊: 科学技术创新
• 学科: 工学
• 关键词: 低压P沟 结构优化 仿真模拟 技术参数
• 年，卷（期）: 2018,（26）
• 所属期刊栏目: 创新创业论坛
• 页码范围: 170-171
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1328.2018.26.102

摘要

低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛.本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟.产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁文华		6	3	1.0	1.0
2	单长玲		6	1	1.0	1.0
3	刘琦		5	1	1.0	1.0
4	智晶		3	1	1.0	1.0
5	常婷婷		4	0	0.0	0.0