非晶氧化锡铋薄膜晶体管偏压稳定性的研究

• 作者: 傅若凡 张群 杨建文
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 偏压稳定性 非晶氧化锡锌铋 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 103-108
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2542字
• 语种: 中文

摘要

本文通过射频磁控溅射方法,在Si-SiO 2衬底上制备了底栅层错型的非晶氧化锡铋(a-SnBiO)薄膜晶体管(TFTs),并表现出优良的开关特性.所制备的a-SnBiO TFTs阈值电压为0.7 V,开关比为2.0×107.并且,通过在环境真空中的测试研究了a-SnBiO TFTs的偏压稳定性.研究发现,无论在正偏压下还是负偏压下,a-SnBiO TFTs均展现出了负向阈值电压漂移现象.这是由于沟道层内部缺陷态过多造成,偏压下氧空位相关缺陷电离产生自由载流子,使得沟道层中载流子浓度增加,造成阈值电压向负方向漂移.