不同氮氧比对N掺杂ZnO∶Al薄膜结构及光电性能的影响

• 作者: 陈礼炜 高松华 高立华
• 来源期刊: 新乡学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮氧比 施主 受主 光电性能
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 化学 化工
• 页码范围: 16-18,26
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-3326.2019.12.004

摘要

采用射频磁控溅射技术,在不同氮氧比条件下,经过退火处理制备了N掺杂ZnO∶Al薄膜.对样品进行X射线衍射(XRD)、探针扫描显微镜(FAM)、透过率和电阻测试.结果 表明:薄膜表面呈现柱状结构,当氮氧比为9∶1时,c轴择优取向最强.在可见光(500～800 nm)范围内,平均透过率都达到了90％以上.随着氮氧比增大,薄膜电阻先增大后减小,后又略微增大.当氮氧比由3∶1增加到9∶1时,由于N作为施主和受主掺杂的浓度不同,薄膜实现了由n型导电转变为p型导电.