退火气氛对ZnO薄膜晶体管电学稳定性的影响

• 作者: 张文通 高晓红
• 来源期刊: 吉林建筑大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜晶体管 滞回稳定性 退火
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 信息科技
• 页码范围: 81-86
• 页数: 6页
• 分类号: TB383
• 字数: 2436字
• 语种: 中文

摘要

在低温条件下(90℃)使用射频磁控溅射在表面长有100 nm厚的氧化硅绝缘层的硅衬底上沉积ZnO薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,然后放入不同气氛下进行退火.研究不同的退火气氛对ZnO薄膜晶体管(TFT)的电学性能的影响,并对ZnO薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试和光致发光(PL)测试,使用场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面形貌.实验结果表明,不同的退火气氛对ZnO薄膜晶体管的性能有着显著的影响,在N2氛围下进行退火的器件性能最优,电流开关比达到了5.88×107,滞回稳定性ΔVTH仅为0.2 V,界面态密度DIT为3.34×1012 cm-2 eV-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高晓红	吉林建筑大学电气与计算机学院	34	266	4.0	16.0
2	张文通	吉林建筑大学电气与计算机学院	5	0	0.0	0.0