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摘要:
模拟扩展到具有平滑弯曲形貌的波形结构样品.MC模拟模型用Mott截面描述电子的弹性散射以及基于完全Penn算法的介电函数理论描述电子的非弹性散射.综合考虑了不同实验因素,如电子束能量,几何参数和材料性质对波型结构样品CD-SEM线扫描曲线的影响;计算表明,随着样品结构高度的降低,二次电子的两个侧边峰可以合并成一个中心单峰,该特征为平滑线状结构样品的关键尺寸表征带来了新的挑战.
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文献信息
篇名 波型结构样品二次电子发射的Monte Carlo模拟
来源期刊 中国科学技术大学学报 学科 工学
关键词 扫描电子显微镜 Monte Carlo 二次电子
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目 电子与信息科学
研究方向 页码范围 79-86
页数 8页 分类号 TN4|O59|O24
字数 1156字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0253-2778.2019.01.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李超 155 838 13.0 19.0
2 邹艳波 14 22 3.0 4.0
4 丁泽军 21 55 4.0 7.0
5 KHAN Muhammad Saadat Shakoor 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
扫描电子显微镜
Monte Carlo
二次电子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
中国科学技术大学学报
月刊
0253-2778
34-1054/N
大16开
安徽省合肥市金寨路96号中国科学技术大学东区
26-31
1965
chi
出版文献量(篇)
3220
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5
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23181
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