退火温度对溅射法沉积Cu-Cr-O薄膜性能的影响

• 作者: 严辉 侯小虎 刘飞 张铭 白朴存 赵学平
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铜-铬-氧薄膜 退火温度 薄膜结构 光电性能
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 55-61
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2019.01.08

摘要

使用CuCrO2陶瓷靶材,利用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu-Cr-O薄膜,研究了退火温度对Cu-Cr-O薄膜结构及光电性能的影响.X射线衍射分析显示,退火温度为973 K时薄膜即已晶化并形成单相铜铁矿结构CuCrO2,随着退火温度的升高,薄膜结晶性逐渐提高.紫外-可见光谱与电学性能测量结果表明:薄膜可见光透过率随退火温度升高呈上升趋势,电导率则呈下降趋势,在973～1273 K退火薄膜的可见光透过率最高为50％,电导率最高为0.12S/cm.扫描电子显微镜照片显示,Cu-Cr-O薄膜电导率的下降主要与退火产生的微裂纹有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院	178	1225	16.0	29.0
2	侯小虎	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	42	83	5.0	7.0
3	白朴存	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	71	225	8.0	13.0
4	张铭	北京工业大学材料科学与工程学院	44	107	6.0	8.0
5	赵学平	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	5	1	1.0	1.0
6	刘飞	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	28	18	2.0	3.0