具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料

• 作者: 冯志红 尹甲运 张志荣 房玉龙 王波 袁凤坡 郭艳敏 高楠
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓(GaN) 铝镓氮(AlGaN) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 背势垒 高电子迁移率晶体管(HEMT)
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 704-708,719
• 页数: 6页
• 分类号: O475|TN304.07
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.09.004

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上制备了1.2 μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲度都较为接近于常规的高阻GaN背势垒结构的HEMT材料.由于AlN晶格常数较小,具有AlN背势垒的HEMT材料受到了更大的压应力.通过对比分析两种HEMT材料所制备的器件发现,受益于AlN背势垒层更高的禁带宽度和临界电场,由AlN背势垒HEMT材料所制备的器件三端关态击穿电压为常规高阻GaN背势垒HEMT器件的1.5倍,缓冲层漏电流则较常规高阻GaN背势垒HEMT器件低2～3个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王波	中国电子科技集团公司第十三研究所	32	71	5.0	7.0
2	郭艳敏		3	2	1.0	1.0
3	房玉龙		15	24	2.0	3.0
4	冯志红		38	81	5.0	5.0
5	尹甲运		13	32	4.0	5.0
6	张志荣	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	2	1.0	1.0
7	高楠	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0
8	袁凤坡		1	0	0.0	0.0