PECVD制程中N+A-SI Layer沉积最佳工艺参数的探究

• 作者: 李明阳 李道杰 步超远 段大伟 王玉亮 聂坤坤 赵晓翔 陈士娟
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: N+ A-SI∶H 沉积参数 田口设计
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 工艺设备
• 页码范围: 927-931
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.10.16

摘要

本文采取4因子4水平田口设计,用等离子体增强化学气相沉积法制备了沉积在白玻璃上的单层N+ A-SI∶H薄膜,测试了薄膜的应力,膜厚,折射率,透过率,及SI-H/N-H键含量,综合评价不同参数配比条件下N+A-SI∶H单层膜的膜质表现,针对比较重要的参数:沉积速率,Thickness Uniformity,SI-H键含量进行了田口分析,两阶段策略优化选出PECVD制程中的N+ A-SI layer的最佳参数配比为:Pressure-385.7 Pa,Spacing-20.32 mm,RF Power-13000W,Gas Ratio-3.12.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明阳		1	1	1.0	1.0
2	段大伟		1	1	1.0	1.0
3	步超远		1	1	1.0	1.0
4	赵晓翔		1	1	1.0	1.0
5	王玉亮		1	1	1.0	1.0
6	聂坤坤		1	1	1.0	1.0
7	陈士娟		1	1	1.0	1.0
8	李道杰		1	1	1.0	1.0