紫外皮秒激光刻蚀体硅工艺研究

• 作者: 汪于涛 沈佳俊 王丽 荆超 骆公序
• 来源期刊: 应用激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光应用 体硅工艺 激光直接加工 紫外皮秒激光
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 页码范围: 1002-1005
• 页数: 4页
• 分类号: TN249
• 语种: 中文
• DOI: 10.14128/j.cnki.al.20193906.1002

摘要

针对体硅的加工应用,开展皮秒紫外激光三维刻蚀单晶硅工艺研究.通过工艺实验,得出在激光脉冲能量6μJ,固定XY点间距4μm,在单晶硅上刻蚀600μm×600μm方槽,单次去除的深度在1 μm,单次加工用时0.5s,加工的侧壁在14°,可以获得较好的200 μm深度的三维结构.皮秒紫外激光体硅加工在工艺流程上更为简洁,加工效率高,对环境污染小,设备成本小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	骆公序		11	15	2.0	3.0
2	王丽		2	0	0.0	0.0
3	荆超		1	0	0.0	0.0
4	汪于涛		1	0	0.0	0.0
5	沈佳俊		1	0	0.0	0.0