Cu掺杂对Cu-Mn-Co-Ni-O薄膜结构和性能的影响

• 作者: 傅邱云 李睿锋 邹小华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: NTC 热敏电阻 薄膜 Cu掺杂 导电机理
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 60-66
• 页数: 7页
• 分类号: TN704
• 字数: 4417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.08.010

摘要

通过金属有机物热分解法制备了结构为Ag/NTC/SiO2/Si的薄膜NTC(负温度系数)热敏电阻,研究了Cu掺杂对CuxMn1.56Co0.96Ni0.48O4+y[x=0～0.25,(x+3)/(4+y)=3/4]薄膜结构和性能的影响,并对其导电机理进行了分析.结果表明,少量Cu(x≤0.2)掺杂可以迅速降低薄膜的室温电阻值,过量则会导致薄膜产生孔隙和缺陷;Cu主要以Cu+形式存在并占据A位;随着Cu掺杂量的增加,会使Cu+和Mn3+/Mn4+离子对的含量占比均增加,促进两种电子跳跃机制导电.当x=0.2时,薄膜电阻有最佳的性能:R25=0.082 MΩ,B25/50=3250 K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅邱云	华中科技大学光学与电子信息学院	11	20	3.0	4.0
5	邹小华	华中科技大学光学与电子信息学院	1	0	0.0	0.0
9	李睿锋	华中科技大学光学与电子信息学院	1	0	0.0	0.0