GaN体单晶的氨热生长及应力调控

• 作者: 任国强 徐科 李腾坤 燕子翔 苏旭军 高晓冬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN晶体 氨热法 应力调控
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1599-1603
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.09.003

摘要

采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹.用拉曼光谱测量GaN晶体的E2 (high)声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大.通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,(002)和(102)的X射线摇摆曲线FWHM分别为48 arcsec和54 arcsec,显微拉曼光谱表明经过工艺优化后的晶体应力显著降低,应力的来源主要为生长过程中杂质的引入.