斜角沉积和热处理对射频溅射ITO薄膜光学性能的影响

• 作者: A. IRIBARREN L. G. DAZA M. ACOSTA R. CASTRO-RODRíGUEZ
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: 斜角沉积 ITO薄膜 纳米柱形态 微应变分布 光学性质
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 2566-2576
• 页数: 11页
• 字数: 2342字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(19)65164-2

摘要

运用射频溅射斜角沉积(OAD)制备铟锡氧化物(ITO)薄膜,对薄膜在250℃下进行热处理,采用基体倾斜和退火相结合的方法对材料的形貌和结构进行改性,从而改变材料的光学性能.对薄膜的形貌表征观察到倾斜的纳米柱、柱间裂纹和结构变化.沉积的薄膜具有非晶成分,结构无序;退火后薄膜被晶化,更加有序;薄膜XRD衍射图样与In2O3的立方结构相对应.随着纳米柱倾角的变化,沉积薄膜的折射率可以提高到0.3,退火薄膜的折射率可以提高到0.15.同样,由于微应变的减少,带隙能增加到0.4 eV左右.结果还发现,微应变分布与晶格畸变、缺陷和薄膜中裂纹的存在有关,因此,可以通过改变薄膜的形貌实现对其光学性质的调整.