热压增大光刻胶光栅占宽比的方法及其应用

• 作者: 付绍军 徐向东 王海 胡华奎 邱克强 郑衍畅
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 硅光栅 大高宽比 光刻胶光栅 占宽比 热压
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 94-100
• 页数: 7页
• 分类号: O436.1|TN305.7
• 字数: 1645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20192701.0094

摘要

全息光刻-单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作大高宽比硅光栅的一种重要方法,而如何增大光刻胶光栅的占宽比,以提高制作工艺宽容度和光栅质量是急需解决的问题.本文提出了一种热压增大光刻胶光栅占宽比的方法,该方法通过加热加压直接将光刻胶光栅线条展宽.论文详细阐述了其工艺过程,探究了占宽比增加值随施压载荷、温度的变化规律,讨论了施压垫片对光刻胶光栅质量的影响.应用此方法制作了周期为500nm的硅光栅,光栅线条的高宽比达到了12.6,氮化硅光栅掩模的占宽比高达0.72.热压增大光刻胶光栅占宽比的方法工艺简单、可靠,无需昂贵设备、成本低,能够有效增大占宽比,且获得的光栅掩模质量高、均匀性好,满足制作高质量大高宽比硅光栅的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐向东	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	74	701	15.0	21.0
2	付绍军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	69	435	12.0	15.0
3	王海	安徽工程大学机械与汽车工程学院	47	134	6.0	9.0
4	邱克强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	25	135	6.0	10.0
5	郑衍畅	安徽工程大学机械与汽车工程学院	7	6	2.0	2.0
6	胡华奎	安徽工程大学机械与汽车工程学院	3	3	1.0	1.0