低损耗掺杂BST薄膜的射频磁控溅射沉积及其阻抗特性研究

• 作者: 盛苏 陈含笑
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 可调谐微波器件 铁电薄膜 磁控溅射 介电损耗 铁电性能
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 4126-4129
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 字数: 3665字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2019.04.021

摘要

利用射频磁控溅射法和快速热退火处理,在高电阻Si基片上制备了具有较低介电损耗的MgO掺杂Ba0.25 Sr0.75 TiO 3(BST)铁电薄膜.通过XRD和SEM,分别对BST铁电薄膜的微结构和表面形貌进行了分析.利用铁电分析仪和低频阻抗分析仪分别测试了BST薄膜样品的铁电特性和介电性能.研究表明,MgO掺杂的BST薄膜的介电损耗要低于纯的BST薄膜,并且在掺杂浓度为5％(摩尔分数)时,获得最佳的实验结果.在室温和250 Hz的条件下,测得700℃ 退火的BST铁电薄膜样品的矫顽电场强度(E C)和剩余极化强(P r)分别为1.15 V/cm和4.06μC/cm2,介电常数和介电损耗因子分别为370和0.005.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛苏	湖北师范大学物理与电子科学学院	3	7	1.0	2.0
2	陈含笑	湖北师范大学物理与电子科学学院	2	0	0.0	0.0