In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响

• 作者: 王冬
• 来源期刊: 冶金与材料
• 关键词: ZnO:In薄膜 In含量 结晶质量 BM效应
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 49,51
• 页数: 2页
• 字数: 1909字
• 语种: 中文

摘要

借助射频磁控溅射法在石英衬底上制备了In掺杂ZnO薄膜(ZnO:In),研究了In掺杂浓度对薄膜结构、光学及电学性能的影响.结果表明:所有ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,都有较高的光学透过率(高于85％);In掺杂会降低薄膜生长率和结晶质量;随着In掺杂浓度的上升,ZnO薄膜的载流子浓度不断提高,禁带宽度不断增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王冬	重庆师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0