篇名 | Design and Simulation of Improved SOI SiGe Hetero-Junction Bipolar Transistor Architecture with Strain Engineering | ||
来源期刊 | 应用数学与应用物理(英文) | 学科 | 工学 |
关键词 | UNIAXIAL STRAIN SOI SIGE HBT Electrical PERFORMANCE Frequency PERFORMANCE | ||
年,卷(期) | 2020,(2) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 218-228 | |
页数 | 11页 | 分类号 | TN3 |
字数 | 语种 | ||
DOI |