背面减薄工艺对InP芯片成品率的影响

• 作者: 刘勋 张圆圆 樊鹏 莫才平 赵文伯 黄晓峰
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 背面减薄工艺 降低应力 临时键合 InP基光电探测器
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文

摘要

半导体晶圆背面减薄工艺包含临时键合、研磨、解键合、薄片清洗4个步骤.工艺应力损伤使芯片性能劣化甚至失效,成为大光敏区型InP基探测器芯片的工艺瓶颈,须加以解决.将4个主要步骤分别优化,通过降低键合压力、减少研磨损伤层、保护胶隔绝污染、剥离保护胶摈弃刷洗,使芯片成品率从30％提高到95％以上(芯片尺寸φ1000μm).经过多批次流片验证了此方法的正确性和稳定性,对阵列型芯片研制的成品率意义重大,对企业节省生产成本有积极影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张圆圆		3	6	2.0	2.0
2	莫才平		1	0	0.0	0.0
3	黄晓峰		2	0	0.0	0.0
4	赵文伯		1	0	0.0	0.0
5	樊鹏		2	0	0.0	0.0
6	刘勋		1	0	0.0	0.0