SiC晶片双面和单面抛光相结合的化学机械抛光

• 作者: 李晖 程红娟 高飞
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 单面抛光 双面抛光 几何参数 表面缺陷测试仪
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 503-508
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.06.012

摘要

以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法.先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光.研究了此方法加工碳化硅晶片的特点,对比分析了采用此方法与传统单面抛光加工晶片的几何参数.采用表面缺陷测试仪和原子力显微镜检测加工晶片的表面形貌.结果 表明,双面抛光5h后,碳面无划痕,表面粗糙度达到0.151 nm,硅面则存在较多浅划痕,表面出现了一些类似台阶的结构;采用单面抛光工艺对硅面抛光1h后即可获得具有规则排列原子台阶构型、无划痕的表面;与传统的单面抛光工艺相比,此方法加工晶片的几何参数优异,其中总厚度变化(TTV)值小于1.5 μm,局部厚度变化(LTV)值小于0.6 μm,翘曲度一致性好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	高飞	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	4.0
3	李晖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	18	3.0	3.0