1200V大容量SiC MOSFET器件研制

• 作者: 刘新宇 李诚瞻 白云 罗烨辉 陈宏 高秀秀
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MOSFET 栅极bus-bar JFET注入 大容量器件 低漏电 高温半导体
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2313-2318
• 页数: 6页
• 分类号: TN323
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.004

摘要

采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	白云	中国科学院微电子研究所	19	37	4.0	6.0
3	陈宏	中国科学院微电子研究所	34	198	9.0	13.0
4	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0
5	罗烨辉	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
6	高秀秀	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0