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A 143.2–168.8-GHz signal source with 5.6 dBm peak output power in a 130-nm SiGe BiCMOS process
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | A 143.2–168.8-GHz signal source with 5.6 dBm peak output power in a 130-nm SiGe BiCMOS process | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | BiCMOS power signal | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2020,（12） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 271-273 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TN30 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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