异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型

• 作者: 何伊妮 廖聪维 甄丽营 罗衡 覃婷 邓联文 黄生祥
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 双栅薄膜晶体管 表面势 解析模型 铟镓锌氧化物
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 机械工程? 控制科学与工程
• 页码范围: 2480-2488
• 页数: 9页
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2020.09.013

摘要

针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通区的不同分布特点,在亚阈区引入等效平带电压的概念,在导通区运用Lambert W函数近似,建立异步对称双栅InGaZnO TFT表面电势解析模型.该模型的拟合参数只有2个,能够较好地反映介电层厚度、沟道电压等参数对电势的影响.基于所建模型及TCAD分析,研究InGaZnO层厚度、栅介质层厚度以及缺陷态密度等物理量对独立栅控双栅晶体管表面电势的影响.研究结果表明:在亚阈区,表面电势随着底栅电压增大呈近似线性增大,且在顶栅电压调制作用下平移;在导通区,表面电势随着底栅电压的增加逐步饱和,且电势值与顶栅调制电压作用相关度小.表面电势的解析模型与TCAD数值计算结果对比,具有较高的吻合度;在不同缺陷态密度分布情况下,电势模型的计算值与TCAD分析值相对误差均小于10％.本研究成果有利于了解双栅InGaZnO TFT的导通机制,可用于InGaZnO TFT的器件建模及相关集成电路设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄生祥		34	139	7.0	10.0
2	邓联文		60	206	7.0	8.0
3	廖聪维		11	17	2.0	4.0
4	罗衡		17	27	3.0	4.0
5	覃婷		4	1	1.0	1.0
6	何伊妮		3	0	0.0	0.0
7	甄丽营		1	0	0.0	0.0