红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究

• 作者: 于洪国 李万朋 林泉 许兴 许所成 马会超 马英俊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 砷化镓 水平布里奇曼法 位错密度 熔区长度 窄熔区技术 载流子浓度分布
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1555-1561
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 语种: 中文

摘要

GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能.为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响.以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10 000 cm-2)的<111>向N型掺硅GaAs单晶.利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污.