p型栅结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构优化

• 作者: 葛梅 李毅 王志亮 朱友华
• 来源期刊: 南通大学学报（自然科学版）
• 关键词: p型栅 氮化镓 高电子迁移率晶体管 仿真
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 57-61,68
• 页数: 6页
• 分类号: TN325+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.12194/j.ntu.20191010001

摘要

为了简化后期栅极驱动电路设计、降低成本,工业界对增强型高电子迁移率晶体管的需求与日俱增.采用p型栅结构制备增强型器件的方法是目前极有前景的一种增强型方法.该方法致力于提高器件的正向阈值电压和输出饱和电流,通过Silvaco TCAD软件调节AlGaN势垒层厚度及其Al组分,仿真器件转移特性曲线和输出特性曲线.将AlGaN势垒层厚度优化为20 nm,Al组分优化为0.27,使器件具有更大的阈值电压和输出饱和电流.并通过仿真器件能带结构和AlGaN/GaN沟道中电子浓度,进一步分析器件结构影响其性能的物理机制.结果表明,AlGaN势垒层厚度及其Al组分增加,则器件阈值电压减小,输出饱和电流增加.器件阈值电压与关态时能带结构有关,输出饱和电流与开态时AlGaN/GaN沟道电子浓度有关.