抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响

• 作者: 崔志慧 王辰伟 刘玉岭 赵红东 李红亮
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: 化学机械平坦化 低磨料 络合剂 促进剂 协同作用
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 808-813
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0065

摘要

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中产生的碟形坑和蚀坑等缺陷,研究了在低磨料下柠檬酸钾(CAK)和FA/OⅡ络合剂协同作用对Cu/TEOS去除速率、碟形坑和蚀坑修正的影响.结果表明:加入质量分数为1％CAK后,TEOS去除速率增加了31.6 nm/min,Cu的去除速率无明显变化,说明CAK在不影响Cu去除速率的同时,促进了TEOS的去除;当FA/OⅡ络合剂质量分数从0.5％增加到2％时,Cu去除速率增加了11.2 nm/min,TEOS去除速率则降低了23.9 nm/min,说明增大FA/OⅡ浓度可以促进Cu去除速率,但也会抑制TEOS的去除.碟形坑和蚀坑测试结果表明:加入质量分数为1％CAK后,碟形坑和蚀坑分别修正了45.5 nm和19.5 nm;随着FA/OⅡ质量分数的增加,Cu/TEOS去除速率选择比降低,碟形坑和蚀坑出现加深现象.最后,漏电流和粒径测试结果表明,络合剂能够有效降低漏电流,提高稳定性;而钾离子易引起颗粒聚集,粒径增大.