磁控溅射制备大面积原子级平滑超低电阻率TiN薄膜电极

• 作者: 田忠杰 史淑艳 陈琦磊 芮祥新 黄新宇 孙纳纳 周大雨
• 来源期刊: 功能材料
• 关键词: 射频反应磁控溅射 TiN电极薄膜 表面粗糙度 电阻率
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 热点·关注|Focuses & Concerns
• 页码范围: 12-17
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2021.07.003

摘要

利用射频反应磁控溅射法制备了大面积原子级平滑的TiN薄膜电极,针对衬底偏压对TiN电极性能与结构的影响进行了系统探究.采用四探针方阻测试仪、XPS、GIXRD和AFM等测试手段对TiN薄膜电极的电阻率、化学成分、择优取向、表面形貌及薄膜均匀性进行表征分析.结果表明,施加-200 V衬底偏压可获得超低电阻率的TiN薄膜电极.采用最佳衬底偏压在4英寸单晶硅衬底上沉积的TiN电极薄膜具有较好的均匀一致性.最后将该TiN薄膜电极集成在HfO2薄膜电容器中,该电容器展现出良好的顺电性能和低漏电特性.