低温多晶硅薄膜晶体管的专利技术

• 作者: 张雄娥
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（16）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 148-149
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

低温多晶硅薄膜晶体管的研究已然成为全球研究热点,本文针对低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)普遍存在的漏电流大的技术问题,展开关于低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的几项专利技术研究进展的分析,主要涉及多晶硅有源层的相关技术改进. 近年来,随着显示技术的迅速发展,尤其是液晶显示技术领域的发展,对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)半导体有源层的电子迁移率要求要来越高.薄膜晶体管形成的阵列基板是显示装置的关键部件,TFT阵列基板向显示装置提供驱动电路及开关电路等,而其中TFT是阵列基板中至关重要的元件.由于非晶硅薄膜晶体管的漏电流较小,因此早期的液晶显示技术大多采用非晶硅薄膜晶体管,但是非晶硅薄膜晶体管普遍存在载流子迁移率低下的问题,这极大的影响了显示技术的发展.